//DS1820 C51 子程序
//这里以11.0592M晶体为例，不同的晶体速度可能需要调整延时的时间
//sbit DQ =P2^1;//根据实际情况定义端口

typedef unsigned char byte;
typedef unsigned int word;

//延时
void delay(word useconds)
{
for(;useconds>0;useconds--);
}

//复位
byte ow_reset(void)
{
byte presence;
DQ = 0; //pull DQ line low
delay(29); // leave it low for 480us
DQ = 1; // allow line to return high
delay(3); // wait for presence
presence = DQ; // get presence signal
delay(25); // wait for end of timeslot
return(presence); // presence signal returned
} // 0=presence, 1 = no part

//从 1-wire 总线上读取一个字节
byte read_byte(void)
{
byte i;
byte value = 0;
for (i=8;i>0;i--)
{
value>>=1;
DQ = 0; // pull DQ low to start timeslot
DQ = 1; // then return high
delay(1); //for (i=0; i<3; i++);
if(DQ)value|=0x80;
delay(6); // wait for rest of timeslot
}
return(value);
}

//向 1-WIRE 总线上写一个字节
void write_byte(char val)
{
byte i;
for (i=8; i>0; i--) // writes byte, one bit at a time
{
DQ = 0; // pull DQ low to start timeslot
DQ = val&0x01;
delay(5); // hold value for remainder of timeslot
DQ = 1;
val=val/2;
}
delay(5);
}

//读取温度
char Read_Temperature(void)
{
union{
byte c[2];
int x;
}temp;

ow_reset();
write_byte(0xCC); // Skip ROM
write_byte(0xBE); // Read Scratch Pad
temp.c[1]=read_byte();
temp.c[0]=read_byte();
ow_reset();
write_byte(0xCC); //Skip ROM
write_byte(0x44); // Start Conversion
return temp.x/2;
}


  

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