雙極結型三極管相當於兩個背靠背的二極體 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發射極注入基區，其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界，並在反向偏置的 CB 結勢壘電場的作用下到達集電區，形成集電極電流 I_C 。在共發射極電晶體電路中 , 發射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大部分 的集電極和發射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由於 V_BE 很小，所以基極電流約爲 I_B= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

       如果電晶體的共發射極電流放大係數β = I_C / I_B =100, 集電極電流 I_C= β*I_B=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降V_RC=10mA*500Ω=5V，而電晶體集電極和發射極之間的壓降爲V_CE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流i_b，在集電極電路中將出現一個相應的交變電流i_c，有_c/i_b=β，實現了雙極電晶體的電流放大作用。

       金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓 V_G 增大時， p 型半導體表面的多數載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區 S 和 n+ 漏區 D 之間形成導電溝道。當 V_DS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 I_DS 流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱爲閾值電壓 V_T 。當 V_GS>V_T 並取不同數值時，反型層的導電能力將改變，在相同的 V_DS 下也將産生不同的 I_DS , 實現柵源電壓 V_GS 對源漏電流 I_DS 的控制。

二、電晶體的命名方法